1 plaça de TFG | Characterization of a Smart ISFET CMOS Imager
Oposicion de 1 plaça de TFG | Characterization of a Smart ISFET CMOS Imager en Ministerio de Ciencia e Innovación - Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) - Institut de Microelectrònica de Barcelona (IMB-CNM)
Ministerio de Ciencia e Innovación - Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) - Institut de Microelectrònica de Barcelona (IMB-CNM)
1 plaça de TFG | Characterization of a Smart ISFET CMOS Imager
Identificador
20230914O60
Finalització de presentació de sol·licituds
Sistema de selecció
Concurs o valoració de mèrits
Tipus de personal
Laboral temporal
Grup de titulació o assimilat
A1 - Grau universitari (correspondència amb llicenciatures)
Titulació requerida
Enginyeria electrònica o qualsevol pla d'estudis similar
Altres requisits
Bon nivell d'anglès
Matèries
Enginyeria sense especificar, Recerca / Laboratori